本发明涉及功率半导体技术领域，提出一种集成SBD的碳化硅SGT‑MOSFET及其制备方法，方法包括：提供衬底，在衬底上表面依次生长N‑型漂移区、P‑型掺杂区、N+型掺杂区和P+型掺杂区，P+型掺杂区位于N+型掺杂区外围；刻蚀栅极沟槽；在栅极沟槽底部拐角形成P+型掺杂区；在N+型掺杂区上形成第一欧姆接触区；在栅极沟槽底面氧化层上形成肖特基接触区；在肖特基接触区上方沉积氧化层，并在氧化层上形成屏蔽栅；在屏蔽栅层上方形成控制栅；控制栅沿着竖直方向布置，控制栅的下端与屏蔽栅间隔布置，控制栅与P‑型掺杂区相对布置，控制栅侧面与P‑型掺杂区间隔布置；在衬底的下表面形成第二欧姆接触区。